לקוח חדש לטאואר: תייצר שבבי RF ל-VT סיליקון האמריקנית

חוזה חדש לטאואר: נבחרה על-ידי חברת השבבים האמריקנית VT סיליקון לייצר שבבי RF עבור מכשירים ניידים בדור הרביעי, העונים על דרישות התפעול המחמירות של ההתקנים הניידים בדור זה.

VT סיליקון, בחרה בתהליך ה-SiGe בטכנולוגיית ה-0.18 מיקרון של טאואר-ג'אז, המאפשר עלויות נמוכות משמעותית ואינטגרציה גבוהה הרבה יותר מטכנולוגית ה-GaAs הקיימת כיום. שוק יישומי המכשירים הניידים בדור הרביעי צפוי לצמוח מ-3 מיליארד דולר בשנת 2009 ל-40 מיליארד דולר ב-2012.

טכנולוגיית ה-SiGe של טאואר-ג'אז מספקת תכונות משופרות וכן רמות גבוהות יותר של אינטגרציה של פונקציות RF בטלפונים סלולאריים מדור שלישי ורביעי. טכנולוגיית ה-SiGe BiCMOS צפויה להחליף את טכנולוגיית ה- GaAs עליה מבוססים כיום התקנים דומים גם בתחום ה-LAN האלחוטי.

VT סיליקון הינה חברת שבבים חסרת פאב אשר מתכננת ומייצרת מעגלי רדיו לתחום הווימקס הנייד. השבב החדש של VT סיליקון מציע את יכולות ה-RF הטובות ביותר הקיימות בעולם כיום, התורמות למקסום חיי הסוללה בדור הבא של ההתקנים הסלולאריים.

ויקרם קרישנאמורת'י, סמנכ"ל טכנולוגיות, VT סיליקון אמר בתגובה לחוזה, כי "התכנון שלנו, הראשון מסוגו בתעשייה, מנצל את יתרונות התהליך של טאואר-ג'אז במלואן ומאפשר תקשורת דיגיטאלית, תכנות ושליטה מלאה על כל פונקציות ה-RF."

"אנו ממשיכים לראות מעבר של מוצרים מבוססי GaAs לטכנולוגיית ה-SiGe. שינוי זה מאפשר הזדמנויות צמיחה מרגשות לטכנולוגיה שלנו כפי שניתן לראות בתכנון פורץ הדרך של VT סיליקון עבור התקנים סלולאריים בדור הרביעי," אמר ד"ר מרקו רקנלי, סמנכ"ל בכיר ומנהל קו מוצרי ה-RF.