טאואר פיתחה טכנולוגית מתח גבוה בתהליך 0.18 מיקרון

טאואר סמיקונדקטור הודיעה היום (ב'), כי פיתחה תהליך LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) כתוספת למגוון הטכנולוגי בתהליך 0.18 מיקרון אותו היא מציעה ללקוחותיה ב-Fab2.

טכנולוגית המתח הגבוה (High Voltage) מאפשרת למהנדסי תכנון לשלב מעגלים דיגיטליים רגילים בעלי צפיפות גבוהה עם מעגלים אנלוגיים ועם מעגלי ממשק בעלי מתח גבוה, וזאת על פיסת סיליקון בודדת.

רכיבי ה-LDMOS משמשים עבור צגי LCD לטלפונים סלולריים ושאר מוצרים נישאים בעלי מסכים, ובנוסף, מאפשרים מחיר נמוך הודות לדרישות השטח וצריכת ההספק הנמוכות, תוך השגת ביצועי תצוגה מהירים.

על פי מחקרי שוק, משלוחי הצגים לטלפונים סלולריים יגיעו לכ-1.3 מיליארד יחידות ב-2007, גידול של 4% ממשלוחים של כ-1.2 מיליארד ב-2006.

הרכיבים החדשים פועלים במתח שער של V12 ומתח של V25 בהדקים האחרים של הטרנזיסטור. הם משולבים בכל שאר הרכיבים שעל פלטפורמת תהליך ה-0.18 מיקרון באופן טבעי ופשוט. בעזרת בידוד מקומי מובטחת רמת רעש נמוכה ועמידות בפני LATCH-UP .

"טכנולוגית המתח הגבוה פותחת בפני טאואר ולקוחותיה אפשרויות לספק פתרונות למוצרים בשווקי הצרכנים המתפתחים במהירות", אמר יוסי נצר, מנהל חטיבת מוצרי Mixed Signal & RF בטאואר. "התהליך מכוון לשימוש בצגים ניידים ואנו שוקדים עתה על שיפורים שיפתחו אפשרויות ליישומים נוספים עתירי מתח והספק גבוה כמו גם יישומים של ניהול וייעול צריכת הספק".

רכיבי המתח הגבוה ניתנים לשילוב על הפלטפורמה הרב-מוצרית של טאואר (Shuttle ) ובכך מאפשרים הוזלת פיתוח אבי-טיפוס המוצר.